Photolithography를 이용한 pattern형성 업로드

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Photolithography를 이용한 pattern형성

Photolithography를 이용한 pattern형성

1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -` PR coating -` Soft Baking -` Mask align & Exposure -` Develop -` Hard baking -` Cr etching -` Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 -`DI water -`gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)...1.실험제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
2.실험목적 : Photolithography에 사용하는 각 공정의 원리와 공정시 주의점을 알 수 있다.
3.실험기구, 장비, 재료 :
-Cr 증착된 기판
-Developer, Stripper, Cr etchant
4.Photolithography 공정 순서
Cleaning -] PR coating -] Soft Baking -] Mask align & Exposure -] Develop -] Hard baking -] Cr etching -] Strip
5.실험방법 :
①Cr이 증착된 기판 Cleaning을 한다.(Isopropyl alcohol에 약 10분 가량 Ultra sonic처리 -]DI water -]gas로 drying)
②Spin coater위에 기판을 올리고 진공 잡은 후 PR을 뿌리고 코팅을 한다.(500rpm : 10초, 3000rpm : 30초, 1000rpm :10초)
③PR을 굳히기 위해 Soft baking(110℃) 15분 정도 건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제거
6.실험 결과 및 고찰
-PR의 종류에 따라 형성되는 모양을 생각해 보자
광원의 단파장화에 따른 광원의 개발과 더불어, 그에 상응하는 레지스트의 개발은 중요하다. 광원의 단파장화는 레지스트의 고감도화를 요구한다.

용해도 변화
Positive형, Negative형
반응 형태
극성변화형, 해중합형, 가교형, 중합형
구성 성분수
1성분, 2성분, 3성분
광원
g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),
ArF(193nm), EUV(13nm), E-beam, Ion Beam,
X-ray
적층수
단층, 다층
Positive 레지스트는 노광지역의 resist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다. 용해억제형 포토레지스트(Dissolution Inhibition Resist)는 감광작용을 하는 PAC(Photo Active Compound) 및 physical image를 형성하는 polymer 2성분계로 구성되며 점도조절을 위한 solvent, 색소(dye)가 추가로 첨가된다. 대부분 g-line, i-line resist의 경우가 이에 해당한다. 화학증폭형 포토레지스트(Chemically Amplified Resist)는 일반적으로 감광작용에 의해 산(acid)을 발생하는 PAG(photo acid generator), physical image를 형성하는 polymer resin으로 구성된다. 재료의 구성에 따라 2성분계 및 3성분계로 분류되며 DUV, VUV resist가 이 경우에 해당된다. 주쇄절단형 포토레지스트(Chain Scission Resist)는 노광시 고분자의 polymer가 에너지를 흡수하여 polymer의 chain이 절단되어 작은 분자량(molecular weight)을 갖게 됨으로써 쉽게 용해되는 성질을 갖는다. 1성분계로는 mask 제작시 사용되는 E-beam용 resist가 대표적인 예이다.

▷용해억제형 포토레지스트
Novolac resin(polymer)은 physical image 역할을 하며 organic solvent 또는 aqueous base solution에 용해되며, 기판과 접착력이 우수하다. PAC(Sensitizer)은 광감응 반응에 의해서 latent image를 형성하며 노광전의 PAC은 aqueous base solution에 용해되지 않는 i


자료출처 : http://www.ALLReport.co.kr/search/Detail.asp?pk=11042209&sid=sanghyun7776&key=



[문서정보]

문서분량 : 4 Page
파일종류 : HWP 파일
자료제목 : Photolithography를 이용한 pattern형성
파일이름 : Photolithography를 이용한 pattern형성.hwp
키워드 : Photolithography를,이용한,pattern형성
자료No(pk) : 11042209